|
|
| 2Т827Б (200*г.) |
|
|
Год: 2002 |
Кол-во: 12 |
Цена: 479.26 |
Норм. отп.: 1 |
|
| 2Т827Б (200*г.) |
|
|
Год: 2002 |
Кол-во: 2 |
Цена: 479.26 |
Норм. отп.: 1 |
|
| 2Т827Б (200*г.) |
|
|
Год: 2002 |
Кол-во: 1 |
Цена: 479.26 |
Норм. отп.: 1 |
|
| Конфигурация : | n-p-n |
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 125 Вт |
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: 4 МГц |
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В |
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В |
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 20 А |
| Максимальный ток : | коллектора импульсный: 40 А |
| Ток : | обратный: 3 мА |
| Коэффициент : | передачи тока статический: 750-18000 |
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 400 пФ |
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом |

|
Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные
структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты,
стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности,
повторителях, переключающих устройствах, электронных системах
управления защиты и автоматики.
Транзисторы 2Т827А, 2Т827Б, 2Т827В выпускаются в металлическом
корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т827А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с
контактными площадками на пластине для гибридных интегральных
микросхем.
|