|
|
| 2Т3129Д-9 (201*г) |
|
|
Год: 2014 |
Кол-во: 12 |
Цена: 130.71 |
Норм. отп.: 1 |
|
| 2Т3129Д-9 (201*г) |
|
|
Год: 2014 |
Кол-во: 243 |
Цена: 130.71 |
Норм. отп.: 1 |
|
| 2Т3129Д-9 (201*г) |
|
|
Год: 2014 |
Кол-во: 6 |
Цена: 130.71 |
Норм. отп.: 1 |
|
| Конфигурация : | p-n-p |
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 75 мВт |
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: не менее 200 МГц |
| Максимальное напряжение : | коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В |
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В |
| Максимальный ток : | 100 мА |
| Ток : | коллектора обратный: не более 1 мкА |
| Коэффициент : | передачи тока статический: 80-250 |
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 20 пФ |
Транзисторы 2Т3129Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях,
генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (3129.pdf) |
|