| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая: 15 Вт |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 500 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В |
|---|
| Максимальный ток : | 2,5 А |
|---|
| Ток : | обратный: 5 мА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 10-100 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 50 пФ |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом |
|---|
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных высоковольтных
модуляторах.
Транзисторы 2Т704А, 2Т704Б выпускаются в металлокерамическом
корпусе с жесткими выводами и винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-10.
|
+7 (495) 136-61-81
info
spcomponent.ru
