|
|
| 2Т819В |
|
|
Год: 198* |
Кол-во: 198 |
Цена: 87.13 |
Норм. отп.: 1 |
|
| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора постоянный: 15 А |
|---|
| Максимальный ток : | коллектора импульсный: 20 А |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер: 60 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база: 5 В |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 3 Вт |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: >20 |
|---|
| Напряжение : | насыщения между коллектором и эмиттером: <1 В |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: >3 МГц |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: <1000 пФ |
|---|
| Корпус : | КТ-9 |
|---|
Транзисторы 2Т819В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих
устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры
специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и
жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2t819_kt819.pdf) |
|
+7 (495) 136-61-81
info
spcomponent.ru
