| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 225 мВт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: не менее 120 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В |
|---|
| Максимальный ток : | 30 мА |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: не более 1 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 25-100 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 5 пФ |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом |
|---|
Транзисторы 2Т312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах,
усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
|
+7 (495) 136-61-81
info
spcomponent.ru
