| Конфигурация : | n-p-n |
|---|
| Мощность : | постоянная рассеиваемая: 150 мВ |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: 300 МГц |
|---|
| Максимальное напряжение : | коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В |
|---|
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В |
|---|
| Максимальный ток : | 30 мА |
|---|
| Ток : | обратный: не более 0.5 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 20-60 |
|---|
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 5 пФ |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом |
|---|
|
Транзисторы 2Т306А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным
коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты
(2Т306В, 2Т306Г, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д) и переключающих
устройствах (2Т306А, 2Т306Б, КТ306А, КТ306Б).
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими
выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,65 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (306.pdf) |
|
+7 (495) 136-61-81
info
spcomponent.ru
