| Конфигурация : | p-n-p |
|---|
| Мощность : | постоянная рассеиваемая: 200 мВт |
|---|
| Частота : | коэффициента передачи тока предельная: не менее 160 МГц |
|---|
| Напряжение : | коллектор-база пробивное: 20 В |
|---|
| Напряжение : | эмиттер-база пробивное: 3 В |
|---|
| Максимальный ток : | постоянный: 200 мА |
|---|
| Ток : | коллектора обратный: не более 5 мкА |
|---|
| Коэффициент : | передачи тока статический: 50-120 |
|---|
| Сопротивление : | насыщения между коллектором и эмиттером: не более 8,5 Ом |
|---|
| Вес : | 2,2 г |
|---|
Транзисторы 1Т320Б германиевые диффузионно-сплавные структуры
p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и
переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (1t320.pdf) |
|
+7 (495) 136-61-81
info
spcomponent.ru
