1ТС609А диодный мост, диодные мосты отечественные, импортные диодные мосты

Транзисторные сборки 1ТС609А, состоящие из четырех германиевых
диффузионно-сплавных p-n-p переключательных высокочастотных
маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах в составе
электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.

Основные технические характеристики 1ТС609А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора
для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 60 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном
обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном
обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора:
700 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход
при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом
выводе эмиттера: не более 40 мкА;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в
режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой
соответственно: 30...200
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и
эмиттером: не более 3,2 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется