|
|
| 2Т709В |
|
|
Год: 1987 |
Кол-во: 4 |
Цена: 283.19 |
Норм. отп.: 1 |
|
| 2Т709В |
|
|
Год: 1987 |
Кол-во: 30 |
Цена: 283.19 |
Норм. отп.: 1 |
|
| Конфигурация : | p-n-p |
| Мощность : | рассеиваемая: 2 Вт |
| Максимальное напряжение : | коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В |
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В |
| Максимальный ток : | 10 А |
| Коэффициент : | передачи тока статический: 750 |
| Емкость : | коллекторного перехода: 230 пФ |
Транзисторы 2Т709В кремниевые мезапланарные структуры p-n-p
составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих
устройствах.
Транзисторы 2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В выпускаются в металлическом
корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Транзисторы 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2 выпускаются в пластмассовом
корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 9 г, в
пластмассовом корпусе не более 2,5 г.
| Смотрите справочные данные
<== ТУТ (2t709-(kremnij-2017).pdf) |
|