|
|
| 2Т3130Д-9 (201*г) |
|
|
Год: 2012 |
Кол-во: 2 |
Цена: 130.71 |
Норм. отп.: 1 |
|
| 2Т3130Д-9 (201*г) |
|
|
Год: 2012 |
Кол-во: 44 |
Цена: 130.71 |
Норм. отп.: 1 |
|
| 2Т3130Д-9 (201*г) |
|
|
Год: 2012 |
Кол-во: 12 |
Цена: 130.71 |
Норм. отп.: 8 |
|
| Конфигурация : | n-p-n |
| Мощность : | рассеиваемая постоянная: 100 мВт |
| Частота : | коэффициента передачи тока граничная: не менее 150 МГц |
| Максимальное напряжение : | коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В |
| Максимальное напряжение : | эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В |
| Максимальный ток : | 100 мА |
| Ток : | коллектора обратный: не более 0,1 мкА |
| Коэффициент : | передачи тока статический: 200-500 |
| Емкость : | коллекторного перехода: не более 12 пФ |
| Коэффициент : | шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц |
Транзисторы 2Т3130Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры
n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих
низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях,
генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной
аппаратуры.
|